Схема скоротрона позволяет лучше управлять величиной заряда, сообщаемого поверхности. Установку можно отрегулировать так, чтобы максимальный поверхностный потенциал не превышал определенного значения, которое в принципе не зависит от характеристик заряжаемого диэлектрического материала. Это достигается путем контроля потенциала на экранной сетке, располагаемой между коронирующими проволоками и поверхностью диэлектрика. В этом случае ток короны, текущий к пластине, разделяется на ток, текущий к сетке, и ток, текущий к самой пластине. По мере увеличения потенциала пластины большая часть тока течет к сетке и меньшая часть — к пластине. Когда на пластине достигается максимальный потенциал, весь ток течет к сетке и процесс зарядки прекращается. При наличии относительного движения между пластиной и заряжающим блоком максимальный потенциал пластины зависит еще и от скорости. Если скорость большая, пластина не сможет приобрести максимального потенциала, определяемого соотношением; и величина потенциала будет ниже максимального значения. В таких случаях фактическое время, в течение которого слой заряжается коронным разрядом, может быть определено и подставлено в выражение для вычисления достигнутого конечного потенциала.
